[发明专利]一种增强微穿通型IGBT

摘要

本发明公开了一种在微穿通型IGBT的基础上改进，实现导通功率损耗进一步降低的增强微穿通型IGBT，属于半导体器件技术领域。该IGBT包括栅极、栅氧、P^-基区、源区、第二导电类型P⁺区、漂移区、集电极，漂移区和集电极之间加入有第一导电类型n区，形成微穿通区，微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；P^-基区和漂移区之间加入有第一导电类型n区，形成载流子减速层，载流子减速层的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。该增强微穿通型IGBT更进一步降低了器件导通功率损耗。

主权项

一种增强微穿通型IGBT，包括栅极、栅氧、P^‑基区、源区、第二导电类型P⁺区、漂移区、集电极，所述漂移区和所述集电极之间加入有第一导电类型n区，形成微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度；其特征在于，所述P^‑基区和所述漂移区之间加入有第一导电类型n区，形成载流子减速层，所述载流子减速层的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。