[发明专利]一种氮化硅基体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210540483.5 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN103058696A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张立同;刘永胜;叶昉;刘晓菲;殷小玮;成来飞 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种氮化硅基体的制备方法,主要用于纤维增韧陶瓷基复合材料、多孔陶瓷材料基体的制备。本发明采用化学气相渗透/化学气相沉积技术在基底材料内部/表面沉积氮化硅基体/涂层,通过控制工艺参数调整陶瓷基体的沉积速度、沉积厚度以及渗透均匀性。本发明充分利用化学气相渗透/化学气相沉积工艺的优势,制备的氮化硅基体具有沉积渗透深度大、与基底结合好、性能高等特点。结合氮化硅基体的透波特性,此种制备方法还将为连续纤维增韧陶瓷基复合材料的结构功能一体化设计奠定基础。
搜索关键词: 一种 氮化 基体 制备 方法
【主权项】:
一种氮化硅基体的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1:将多层纤维布按0°和90°方向编织成二维结构,采用石墨夹具夹持形成预制体;所述纤维布为碳纤维、石英纤维或Si3N4纤维等;步骤2:将预制体悬挂于真空炉,处于炉内等温区中心位置,采用CVD/CVI法沉积预制体得到氮化硅透波陶瓷基体,制备过程中:先驱体为硅源MTS、氮源NH3、H2稀释、H2载气及Ar,反应温度为700~1200°C,保温时间为8~200小时,炉内压力为0~5000Pa;所述H2载气与NH3的流量比为0.4~45.0,H2总量与硅源MTS的稀释比为5~40,Ar与硅源MTS的稀释比为5~40。
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