[发明专利]一种卤化银异质结构光催化剂的制备方法在审
| 申请号： | 201210540641.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103846095A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵星;郭红彦 | 申请（专利权）人： | 淮南师范学院 |
| 主分类号： | B01J27/08 | 分类号： | B01J27/08;C02F1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 232038 安徽省淮南*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及一种利用可见光对水体中有机污染物进行降解的半导体光催化剂的制备方法。卤化银由于其独特的光敏性，目前已越来越多的被应用到光催化剂制备领域，本方法通过沉积-沉淀法将卤化银负载到二氧化硅载体，形成AgI-AgBr/SiO2异质结纳米复合材料，在发挥卤化银良好光催化性能的同时也使其具有了较好的光稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化 银异质 结构 光催化剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种卤化银异质结构光催化剂的制备方法，其特征在于制备方法为： a、将正硅酸乙酯(TEOS)与无水乙醇混合，超声振荡混合均匀； b、加入AgNO3溶液，调节pH值至2～3，充分搅拌混合后静置，形成含Ag+的SiO2溶胶； c、将该溶胶置于封闭试管中，水浴中加热，形成凝胶； d、将凝胶浸泡在KBr和KI的混合溶液中，充分反应后，滤去余液，用去离子水洗涤，热处理后可获得AgI‑AgBr/SiO2复合异质结构。
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