[发明专利]阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法无效
| 申请号： | 201210541783.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103001120A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 马卫东;丁丽;李迪;赵建宜;朱虎;陈昊;王宁 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，包括如下步骤：设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片；在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上；采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上，提高了器件的可靠性，同时简化了集成工艺，提高了集成效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 波导 光栅 芯片 半导体 放大器 倒装 集成 方法 | ||
【主权项】：
阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，其特征在于:包括下列步骤：步骤1：设计阵列波导光栅芯片版图,版图中的输出波导输出一侧预留有倒装半导体光放大器芯片的定位区域,所述阵列波导光栅芯片中的输出波导延伸至该预留定位区域的边缘，采用阵列波导光栅芯片版图在硅基衬底上制作出阵列波导光栅芯片；步骤2：在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域的图形且刻蚀暴露定位区域的图形，然后对阵列波导光栅芯片的上包层、芯层和部分下包层进行深刻蚀制作出定位区域；步骤3：在步骤2制作出的包括定位区域的整个AWG芯片上表面旋涂光刻胶，根据半导体光放大器上的定位对准标记，在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出相对应匹配的对准标记的图形；步骤4：在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；步骤5：将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后 ，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上。
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