[发明专利]一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺有效

专利信息
申请号: 201210542558.3 申请日: 2012-12-15
公开(公告)号: CN103094132B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 李涛涛;谌世广;王虎;马晓波;钟环清 申请(专利权)人: 华天科技(西安)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710018 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺,该制作工艺按照以下步骤进行框架半蚀刻、上芯、压焊、一次塑封、二次蚀刻、植球、贴膜、二次塑封、揭膜、切割分离。所述二次塑封中,对模具的假型腔宽度和进料口高度增加,可适应更广泛的塑封料,改善产品二次塑封可靠性,有利于塑封料的流动。
搜索关键词: 一种 采用 加宽 模具 假型腔 优化 二次 塑封 封装 制作 工艺
【主权项】:
一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺,其特征在于:其按照以下步骤进行:第一步、引线框架(8)半蚀刻:通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺,蚀刻引线框架(8),在框架上蚀刻出载体,I/O焊盘引脚,确定I/O焊盘引脚大小、脚间距和它们各自的位置;第二步、上芯:用粘片胶(9)将芯片(10)粘接到引线框架(8)的载体上;第三步、压焊:将芯片(10)上的焊点(11)与引线框架(8)的引脚用键合线(12)连接;第四步、一次塑封:将压焊后的产品自动传送到塑封模具中,用一次塑封体(13)对压焊后的产品进行包封;第五步、二次蚀刻:对引线框架(8)底部进行蚀刻,蚀刻后框架为二次蚀刻后框架(14);第六步、植球:对二次蚀刻后框架(14)的引脚植锡球(15);第七步、贴膜:对锡球(15)贴一层胶膜(16);第八步、二次塑封:将贴膜后的产品自动传送到塑封优化模具中,优化模具相比普通模具的假型腔宽度增加,进料口高度也增加;用二次塑封体(17)对贴膜后的产品进行包封;在去除残胶时,压板(7)压在二次塑封体(17)上,对压板(7)右边施加压力去除残胶;第九步、揭膜:将锡球(15)上的胶膜(16)揭膜;第十步、切割分离:对塑封好的产品切割分离。
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