[发明专利]一种高密度蚀刻引线框架FCAAQFN封装件及其制作工艺在审
| 申请号： | 201210542560.0 | 申请日： | 2012-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103094240A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 徐召明;刘卫东;王虎;王希有;谌世广 | 申请（专利权）人： | 华天科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度蚀刻引线框架FCAAQFN封装件及其制作工艺，所述封装件主要由选镀层、芯片、凸点、DAF膜、金线、塑封体、腐蚀减薄后铜框架、光致抗蚀涂覆材料、腐蚀后引脚、绿漆和锡球组成；所述制作工艺按照以下步骤进行：晶圆减薄、晶圆划片、铜框架蚀刻、选镀、倒装上芯、回流、清洗、二次上芯、烘烤、打线、塑封、后固化、框架蚀刻减薄、显影图形、框架腐蚀、涂绿漆、植球。本发明具有满足高密度、高性能、多功能及高I/O数封装要求的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 蚀刻 引线 框架 fcaaqfn 封装 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种高密度蚀刻引线框架FCAAQFN封装件，其特征在于：主要由选镀层（3）、芯片（4）、凸点（5）、芯片（6）、DAF膜（7）、金线（8）、塑封体（9）、腐蚀减薄后铜框架（10）、光致抗蚀涂覆材料（11）、腐蚀后引脚（12）、绿漆（13）和锡球（14）组成；所述选镀层（3）与腐蚀减薄后铜框架（10）粘接，所述芯片（4）通过凸点（5）与腐蚀减薄后铜框架（10）粘接，所述芯片（6）通过DAF膜（7）与芯片（4）连接，所述金丝（8）将芯片（6）与选镀层（3）打线连接，所述塑封体（9）对封装件塑封；腐蚀减薄后铜框架（10）底层涂覆有光致抗蚀涂覆材料（11），腐蚀减薄后铜框架（10）延伸为腐蚀后引脚（12），所述绿漆（13）填充腐蚀后引脚（12）之间蚀刻掉的部分，腐蚀后引脚（12）植入锡球（14）。
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