[发明专利]溅射方法有效
| 申请号： | 201210543933.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103046008A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 北田亨;渡边直树;长井基将;末永真宽;金野武郎 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转；基板磁场形成装置（30），其配置于基板(21)的周围，在基板(21)的处理面上形成磁场；阴极(41)，其配置于基板(21)的斜上方，放电电力供给至该阴极(41)；位置检测装置(23)，其检测基板(21)的旋转位置；以及控制装置(50)，其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射方法，在沿基板的处理面形成磁场的状态下，使上述基板绕与上述处理面垂直的旋转轴进行旋转，同时通过从相对上述基板的处理面倾斜的方向的溅射来形成磁性膜，该溅射方法包括：上述基板包括根据上述磁场的形成状态生成的第一部分和第二部分，该第一部分容易吸引溅射粒子，该第二部分与上述第一部分相比对溅射粒子的吸引力较弱；以及在上述基板的第一部分位于与为了进行上述溅射被供给放电电力而正在进行放电的阴极相近的位置时，将上述基板的旋转速度确定为第一旋转速度，并且在上述基板的第二部分位于与正在进行放电的上述阴极相近的位置时，将上述基板的旋转速度确定为比上述第一旋转速度慢的第二旋转速度。
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