[发明专利]乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用有效
申请号: | 201210544285.6 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN103012755A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 于贵;陈华杰;郭云龙;黄剑耀;刘云圻 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/30 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低,具有很好普适性和高的重复性等优点,可以推广应用到其他各种取代基的乙烯-NDI大π共聚物的合成。以本发明以此类聚合物半导体材料作为活性层制备的FETs展现出良好的双极性特征,其最大电子和空穴迁移率分别达到0.73和0.12cm2/V·s,展现出了这类聚合物材料在FETs中有优良的应用潜质。 |
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搜索关键词: | 乙烯 双键 ndi 共轭 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.式I所示共聚物,
所述式I中,所述R均选自碳原子总数为6-16的直链烷基和碳原子总数为8-28的支链烷基中的任意一种;Ar为噻吩基、呋喃基、吡咯基、噻唑基、噻二唑基、并二噻吩基、并三噻吩基或苯基;n为20-200的整数。
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