[发明专利]静电吸盘及制备方法在审
| 申请号： | 201210544329.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050429A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 厉心宇 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电吸盘，用于对放置在其上的晶片产生静电吸力，包括：基板，其主体由介电材料制成；第一电极，由导电材料制成，铺设于基板中；第二电极，由导电材料制成，与第一电极间隔一定距离铺设于基板中第一电极上方；其中，第一电极、第二电极以及两者之间的介电材料构成一电容，电容的一极外接一直流脉冲电源。其在有效吸附住晶片的同时，使从静电吸盘表面流向晶片的漏电流显著降低，从而提高晶片的良率。其结构简单、实施便利。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，用于对放置在其上的晶片产生静电吸力，包括：基板，其主体由介电材料制成；第一电极，由导电材料制成，铺设于所述基板中；第二电极，由导电材料制成，与所述第一电极间隔一定距离铺设于所述基板中所述第一电极上方；其中，所述第一电极、所述第二电极以及两者之间的介电材料构成一电容，所述电容的一极外接一直流脉冲电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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