[发明专利]一种晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210544375.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000674B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;付超超;张世理;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包含：位于半导体衬底上单晶外延金属硅化物层；形成在所述金属硅化物层上的单晶硅发射极；形成在所述发射极上的基极；和形成在所述基极上的单晶硅集电极；淀积在所述发射极、基极和集电极之上的绝缘介电层，形成在绝缘介电层内的接触孔；形成在发射极、基极和集电极上对应所述接触孔所在位置的接触区；其中，所述晶体管具有集电极更靠近晶体管表面的倒置结构。
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