[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201210544437.2 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165165B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林奎南;张雄周 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 周晓雨,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括第一感测放大单元，所述第一感测放大单元包括第一反相器和第二反相器，被配置成驱动至电源驱动信号和接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构；以及第二感测放大单元，所述第二感测放大单元包括第一晶体管和第二晶体管，被配置成当施加激活的开关信号时驱动至接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构，其中，第二感测放大单元的阈值电压被设定成比第一感测放大单元的阈值电压低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一感测放大单元，所述第一感测放大单元包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器被配置成驱动至电源驱动信号和接地驱动信号的电压电平并且在位线和取反位线之间形成锁存结构；以及第二感测放大单元，所述第二感测放大单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置成当激活的开关信号被施加至所述第一晶体管和所述第二晶体管时在位线和取反位线之间形成锁存结构并且被驱动至所述接地驱动信号的电压电平，其中，所述第二感测放大单元的阈值电压被设定成比所述第一感测放大单元的阈值电压低。
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