[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210544495.5 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103035796A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 金迎春 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供发光二极管芯片的外延片；在外延片上设置透明导电层、第一电极和第二电极，第二电极设于透明导电层上；在透明导电层上沉积金属层；在金属层上匀上光刻胶，并采用光刻技术制作光刻胶的根须母体，根须母体呈长条状且从第二电极延伸；在设有根须母体的金属层上沉积一层硅化物，并采用干法刻蚀去掉除根须母体侧面的硅化物以外的硅化物；采用有机溶剂除去根须母体，得到硅化物根须，硅化物根须由根须母体两侧的硅化物形成；以硅化物根须为掩膜刻蚀金属层，并在刻蚀完成后去掉硅化物根须，得到电流扩展根须。本发明通过上述方案提高了电流扩展能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供发光二极管芯片的外延片，所述外延片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的第一半导体层、发光层、第二半导体层；在所述外延片上设置透明导电层、第一电极和第二电极，所述第二电极设于所述透明导电层上；在所述透明导电层上沉积金属层；在所述金属层上匀上光刻胶，并采用光刻技术制作光刻胶的根须母体，所述根须母体呈长条状且从所述第二电极延伸；在设有所述根须母体的所述金属层上沉积一层硅化物，并采用干法刻蚀去掉除所述根须母体侧面的硅化物以外的硅化物；采用有机溶剂除去所述根须母体，得到硅化物根须，所述硅化物根须由所述根须母体两侧的硅化物形成；以所述硅化物根须为掩膜刻蚀所述金属层，并在刻蚀完成后去掉所述硅化物根须，得到电流扩展根须。
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