[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210544886.7 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103021942A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨静;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示领域。其中，该阵列基板的制造方法采用一次构图工艺形成所述阵列基板的沟道区和源电极、漏电极。具体地，是通过一次构图工艺形成由金属氧化物层组成的沟道区、源区和漏区，对源区和漏区的金属氧化物层在氢气中进行热处理，分别形成导电的源电极和漏电极。本发明的技术方案能够简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法采用一次构图工艺形成所述阵列基板的沟道区和源电极、漏电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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