[发明专利]一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路

摘要

一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。

主权项

一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，其特征在于：设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压；其中：温度检测电路包括十个MOS管M1～M10、三个电阻R0、R1、R2，MOS管M1的漏极连接电阻R0的一端及MOS管M2的栅极，MOS管M1的栅极连接电阻R0的另一端并与及MOS管M3的源极连接，MOS管M2的漏极连接MOS管M4的源极，MOS管M3的栅极与MOS管M4的栅极互连并连接MOS管M3的漏极和MOS管M5的漏极，MOS管M5的栅极与MOS管M6的栅极互连并连接MOS管M4的漏极和MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极，MOS管M7的栅极、MOS管M8的栅极以及MOS管M9的栅极互连并连接MOS管M8的漏极和MOS管M6的源极，MOS管M7、M8、M9的源极均接电源电压，MOS管M9的漏极连接电阻R1的一端，R1的另一端连接电阻R2的一端及MOS管M10的漏极，电阻R2的另一端以及MOS管M1、M2、M10的源极均接地；电压比较器包括九个MOS管M11～M19，MOS管M11的漏极连接MOS管M12和MOS管M13的源极，MOS管M12的栅极连接温度检测电路中MOS管M1的漏极，MOS管M13的栅极连接温度检测电路中MOS管M9的漏极，MOS管M12的漏极与MOS管M14的漏极互连并连接到MOS管M14的栅极和MOS管M18的栅极，MOS管M13的漏极与MOS管M15的漏极互连并连接到MOS管M15的栅极和MOS管M19的栅极，MOS管M14、M15、M18、M19的源极均接地，MOS管M18的漏极与MOS管M16的漏极互连并连接MOS管M16和MOS管M17的栅极，MOS管M17的漏极与MOS管M19的漏极连接，MOS管M11、M16、M17的源极均接电源电压；输出整形电路包括两个反相器INV1及INV2，反相器INV1的输出端连接反相器INV1的输入端并连接到温度检测电路中MOS管M10的栅极，反相器INV1的输入端连接电压比较器中MOS管M17及M19的漏极，反相器INV2的输出端控制后续电路。