[发明专利]用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法有效
| 申请号： | 201210546494.4 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103633141B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;朱鸣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法。本发明公开了一种半导体器件单元。该半导体器件单元包括具有栅极表面和接触表面的晶体管栅极，以及通过源极接触件接触的源极区。半导体器件单元还包括通过漏极接触件接触的漏极区，其中漏极接触件相对于晶体管栅极的栅极表面不在源极接触件的对面。公开了栅极接触件相比于与漏极接触件的距离更靠近源极接触件的其他半导体器件单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 隧道 场效应 晶体管 单元 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件单元，包括：衬底的表面上的突出物；晶体管栅极，具有栅极表面和接触表面，所述栅极表面围绕所述突出物，所述接触表面平行于所述衬底的表面并且位于设置在所述衬底中的浅沟槽隔离结构上方，在所述接触表面上设置与所述晶体管栅极连接的栅极接触件；源极区，位于所述突出物的上部中并且通过源极接触件接触，所述源极区注入有第一类型掺杂物；以及漏极区，位于所述突出物的下部以及所述衬底的掺杂区中并且通过漏极接触件接触，所述漏极区注入有与所述第一类型掺杂物不同的第二类型掺杂物，其中所述漏极接触件相对于所述晶体管的栅极表面不在所述源极接触件的对面，所述浅沟槽隔离结构在所述漏极区下方延伸进入所述衬底的未掺杂区中；其中，所述源极区、所述漏极区和所述晶体管栅极形成隧道场效应晶体管；其中，当从上方观察时，所述漏极接触件、所述源极接触件和所述栅极接触件布置成非共线，并且至少两个所述隧道场效应晶体管的晶体管栅极共享所述接触表面和所述栅极接触件。
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