[发明专利]芯片堆叠结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210547852.3 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103066041A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 陈峥嵘 | 申请（专利权）人： | 三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;郭鸿禧 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片堆叠结构及其制造方法。所述芯片堆叠结构包括：基板；焊球，形成在基板下方，用于电连接到外部电路；硅通孔芯片和非硅通孔芯片，交替地设置在基板上方；第一通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片的电连接；第二通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片和硅通孔芯片中的至少一种的电连接；第三通孔，形成在硅通孔芯片中，用于硅通孔芯片的电连接；导电支撑结构，位于硅通孔芯片之间，用于支撑硅通孔芯片和非硅通孔芯片，并用于硅通孔芯片和非硅通孔芯片之间的电连接。根据本发明的芯片堆叠结构可以实现硅通孔芯片和非硅通孔芯片之间的互联，即，通过仅在一部分芯片上形成通孔，可以实现多个芯片之间的互连。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片堆叠结构，其特征在于所述芯片堆叠结构包括：基板；焊球，形成在基板下方，用于电连接到外部电路；硅通孔芯片和非硅通孔芯片，交替地设置在基板上方；第一通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片的电连接；第二通孔，形成在硅通孔芯片中，用于非硅通孔芯片和硅通孔芯片中的至少一种的电连接；第三通孔，形成在硅通孔芯片中，用于硅通孔芯片的电连接；导电支撑结构，位于硅通孔芯片之间，用于支撑硅通孔芯片和非硅通孔芯片，并用于硅通孔芯片和非硅通孔芯片之间的电连接。
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