[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201210548276.4 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103165788B 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 林显修;赵权泰;朴修益 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 顾晋伟,全万志
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。发光器件可以包括衬底(105);设置在衬底(105)上的第一导电型半导体层(112);设置在第一导电型半导体层(112)上的有源层(114);设置在有源层(114)上的第二导电型半导体层(116);设置在第一导电型半导体层(112)上的第一电极(131);设置在第二导电型半导体层(116)上的第二电极(132);设置在衬底(105)的顶表面上的第一光提取图案(P);以及设置在衬底(105)的侧面上的第二光提取图案(150)。
搜索关键词: 发光 器件
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底;设置在所述衬底上的第一导电型半导体层;设置在所述第一导电型半导体层上的有源层;设置在所述有源层上的第二导电型半导体层;设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极;设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极;设置在所述衬底的顶表面上的第一光提取图案;设置在所述衬底的侧面上的第二光提取图案,其中所述第二光提取图案包括第一图案,第二图案以及第三图案,其中所述第一图案设置为比所述第二图案更靠近所述有源层,所述第二图案设置为比所述第三图案更靠近所述有源层,其中所述第一图案的尺寸大于所述第二图案的尺寸,所述第二图案的尺寸大于所述第三图案的尺寸,其中所述第二图案设置为比所述第一图案更致密,以及其中所述第三图案设置为比所述第二图案更致密。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210548276.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top