[发明专利]促进杂交瘤生长的培养基及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210548315.0 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103865879A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 万晓春;张茜;金言;阮庆国 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C12N5/20 分类号: C12N5/20
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘诚;吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种促进杂交瘤生长的培养基及其制备方法。该促进杂交瘤生长的培养基,包括1640完全培养基和添加在所述1640完全培养基中的TLR3激动剂Poly(I:C),且所述TLR3激动剂Poly(I:C)在所述促进杂交瘤生长的培养基中的浓度为25μg/ml。上述培养基在配制的RPMI 1640完全培养基的基础上,添加了TLR3激动剂Poly(I:C),并使其在培养基中的最终浓度控制在每毫升25微克,不仅能通过促进B细胞增殖来促进杂交瘤细胞的生长,同时也可以通过促进B细胞分泌特异性抗体这一特性来促进杂交瘤细胞分泌所需单克隆抗体。
搜索关键词: 促进 杂交瘤 生长 培养基 及其 制备 方法
【主权项】:
一种促进杂交瘤生长的培养基,其特征在于,包括1640完全培养基和添加在所述1640完全培养基中的TLR3激动剂Poly(I:C),且所述TLR3激动剂Poly(I:C)在所述促进杂交瘤生长的培养基中的浓度为25μg/ml。
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