[发明专利]激光钻孔切割异形发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210548465.1 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103022280A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;于飞;鲁志远;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4：裂片，制备完成发光二极管单元。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 钻孔 切割 异形 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种激光钻孔切割异形发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：将制备好的条状的发光二极管芯片阵列竖直固定；步骤2：将激光器的焦点聚焦在条状的发光二极管芯片阵列的侧表面；步骤3：移动条状的发光二极管芯片阵列，激光器对条状的芯片阵列的衬底进行斜向激光钻孔；步骤4：裂片，制备完成发光二极管单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210548465.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
