[发明专利]高出光率倒装结构LED的制作方法有效
| 申请号： | 201210548494.8 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102969422A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘娜;谢海忠;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 高出光率 倒装 结构 led 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；步骤2：用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；步骤3：采用激光剥离的方法，将衬底剥离；步骤4：用腐蚀液将电流扩展层上的树脂和临时基板去掉，形成基片；步骤5：对基片的侧壁及氮化镓成核层的表面进行粗化处理；步骤6：从该电流扩展层表面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度至n型氮化镓电子注入层内，使得该n型氮化镓电子注入层的一侧形成台面；步骤7：在该n型氮化镓电子注入层的台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；步骤8：取一基板，在其上依次制作一绝缘层和电路层；步骤9：在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；步骤10：在暴露的电路层制作一层反光层；步骤11：采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。
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