[发明专利]制备半球形微纳米透镜阵列的方法无效
申请号: | 201210548704.3 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN103011060A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 魏同波;吴奎;王军喜;曾一平;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种制备半球形微纳米透镜阵列的方法,包括以下步骤:步骤1:取一透明衬底,在透明衬底上淀积一层透明导电膜;步骤2:在透明导电膜上涂一单层透明微纳米球;步骤3:采用热处理的方法,使得透明微纳米球在透明导电膜上有稍微的塌陷,成为半球形微纳米透镜阵列;步骤4:使用电镀的方法在半球形微纳米透镜阵列的间隙之间电镀上一层金属,从而将半球形微纳米透镜阵列固定在带有透明导电膜的透明衬底上;步骤5:取一涂覆有光刻胶的基底;步骤6:将固定有带有透明导电膜的透明衬底扣置在涂覆有光刻胶的基底上;步骤7:在预定波长的光照下,利用半球形微纳米透镜阵列的聚光作用,将涂覆在基底上的光刻胶曝光,形成阵列图形;步骤8:显影,将阵列图形转移到光刻胶上,完成制备。 | ||
搜索关键词: | 制备 半球形 纳米 透镜 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种制备半球形微纳米透镜阵列的方法,包括以下步骤:步骤1:取一透明衬底,在透明衬底上淀积一层透明导电膜;步骤2:在透明导电膜上涂一单层透明微纳米球;步骤3:采用热处理的方法,使得透明微纳米球在透明导电膜上有稍微的塌陷,成为半球形微纳米透镜阵列;步骤4:使用电镀的方法在半球形微纳米透镜阵列的间隙之间电镀上一层金属,从而将半球形微纳米透镜阵列固定在带有透明导电膜的透明衬底上;步骤5:取一涂覆有光刻胶的基底;步骤6:将固定有带有透明导电膜的透明衬底扣置在涂覆有光刻胶的基底上;步骤7:在预定波长的光照下,利用半球形微纳米透镜阵列的聚光作用,将涂覆在基底上的光刻胶曝光,形成阵列图形;步骤8:显影,将阵列图形转移到光刻胶上,完成制备。
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