[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

摘要

本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过进行规定次数如下循环而在所述衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含所述规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向所述衬底供给与所述原料气体及所述第一反应气体不同的第二反应气体，对所述第一层进行改性而形成第二层的工序。