[发明专利]大规模集成电路基板用电子级超细E-玻璃粉的制备方法有效
申请号: | 201210549812.2 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103011606A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 阮建军;毛艳 | 申请(专利权)人: | 连云港东海硅微粉有限责任公司 |
主分类号: | C03C12/00 | 分类号: | C03C12/00;H01L23/15 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 刘喜莲 |
地址: | 222000 江苏省连*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种大规模集成电路基板用电子级超细E-玻璃粉的制备方法,选取无碱玻璃块为原料,所述的无碱玻璃块中SiO2的质量含量55-65%,Al2O3的质量含量13-15%,B2O3的质量含量6.5-8.5%,CaO与MgO的质量含量12-15%;将原料投入对辊机进行预破碎后磁选,再用精密球磨机系统进行研磨,研磨后先得到半成品A和B,半成品A和B进行复配,后进行精密分级,分级后得到粒径D50=1.2-2.8μm、D90≤8μm、D100≤12μm的成品。本发明电子级E-玻璃粉产品具有优秀的电气绝缘性能,其熔点和硬度均低于普通的二氧化硅硅微粉,因此具有优良的加工性能。 | ||
搜索关键词: | 大规模 集成 路基 用电 子级超细 玻璃粉 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大规模集成电路基板用电子级超细E‑玻璃粉的制备方法,其特征在于,其步骤如下:(1)选取无碱玻璃块为原料,所述的无碱玻璃块中SiO2的质量含量55‑65%,Al2O3的质量含量13‑15%,B2O3的质量含量6.5‑8.5%,CaO与MgO的质量含量12‑15%,Fe2O3的质量含量≤0.1%,K2O与Na2O的质量含量≤0.1%;无碱玻璃块的电导率≤120µS/cm,直径为18±2mm;(2)将原料投入对辊机进行预破碎至直径为5mm以下,然后用大于10000GS的磁选设备进行磁选;再用精密球磨机系统进行研磨,研磨使用的磨介为氧化铝球,磨介直径分别为:直径为15‑25 mm的占40‑60%,直径为35‑45mm的占25‑35%,直径为25 ‑35 mm的占15‑25%;(3)研磨后先得到半成品A,其粒度D50=4.5‑5.5μm,D100≤20μm;(4)然后继续研磨得到半成品B,其粒度D50=1.5‑2.5μm,D100≤10μm;(5)最后用半成品A和B进行复配,半成品A占复配混合物重量的30‑45%;然后进行精密分级,分级机分级时的转速为4000‑5000 rpm,分级后得到粒径D50=1.2‑2.8μm、D90≤8μm、D100≤12μm的成品。
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