[发明专利]一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210550161.9 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103050452A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 秦飞;夏国峰;安彤;刘程艳;武伟;朱文辉 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种再布线高密度AAQFN封装器件及其制造方法。制造形成的再布线高密度AAQFN封装器件的引脚在封装工艺过程中采用蚀刻或者电镀方法形成,采用注塑或者丝网印刷方法在引脚之间的凹槽中配置绝缘填充材料,采用蚀刻方法制作再布线层,并形成独立的引脚,采用塑封材料进行包封,塑封完成后,采用化学镀方法在引脚表面制作第二金属材料层。制造形成的再布线高密度AAQFN具有小的尺寸、高的I/O密度、低的制造成本和良好的可靠性。
搜索关键词: 一种 布线 高密度 aaqfn 封装 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种再布线高密度AAQFN封装器件,其特征在于,包括:引脚在封装器件中呈面阵排列;绝缘填充材料配置于引脚与引脚之间;IC芯片通过粘贴材料配置于封装器件的中心位置;第一金属材料层围绕IC芯片排列;引脚通过再布线层实现与第一金属材料层的连接;第二金属材料层配置于引脚的下表面;IC芯片通过金属导线连接至第一金属材料层;塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘贴材料、金属导线、第一金属材料层和再布线层,仅仅暴露出配置于引脚下表面的第二金属材料层。
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