[发明专利]柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法有效
| 申请号： | 201210550894.2 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103866251A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张俊彦;张斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14;C23C14/06 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法，多层多组分类金刚石薄膜组成Cr+CrTi+CrTiN+CrTi/CrTiC+CrTiC/DLC；采用多靶脉冲磁控溅射方法，经过超声波清洗和真空系统中氩等离子体溅射清洗柱塞；溅射沉积Cr+CrTi层；反应磁控溅射沉积CrTiN+CrTi/CrTiC梯度层层；反应溅射溅射CrTiC/DLC功能层，最后在柱塞表面形成类金刚石薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 柱塞 表面 金刚石 薄膜 批量 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法，其特征在于采用多靶脉冲磁控溅射方法，经过超声波清洗和真空系统中氩等离子体溅射清洗柱塞；溅射沉积Cr+CrTi层；反应磁控溅射沉积CrTiN+CrTi/CrTiC梯度层层；反应溅射溅射CrTiC/DLC 功能层，最后在柱塞表面形成类金刚石薄膜；具体为： 采用多靶磁空溅射设备，由四对靶均匀分布组成的真空沉积装置，其中1、3位置为Cr靶，2、4位置为Ti靶；其中一对Cr靶由一台100‑200KHz可调的双极脉冲电源供电，其他三个靶都由40KHz的中频双极脉冲电源供电，制备多层多组分类金刚石薄膜，其组成Cr+CrTi+CrTiN+CrTi/CrTiC+CrTiC/DLC。
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