[发明专利]一种红外光发射与分光集成芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210551404.0 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103030094A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 施云波;于潇禹;冯侨华;赵文杰 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 金永焕
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种红外光发射与分光集成芯片及其制备方法,涉及芯片及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的分析仪器由于红外灯泡加上机械斩波器的光源调制模式很难实现仪器的微型化、现有的闪耀光栅制备方法存在成本高和难度大的问题。一种红外光发射与分光集成芯片,其特征在于:它是由芯片内芯、封装外壳、反射镜组成;芯片内芯是由硅基片、二氧化硅层、闪耀光栅、光源电极、测温电阻、光隔离梁和隔离槽制备方法:一、准备硅基片;二、制备二氧化硅层;三、制备光源电极、测温电阻和光隔离梁;四、制备闪耀光栅;五、制备隔离槽;六、制备反射镜;七、封装。本发明适用于光谱仪器的领域。
搜索关键词: 一种 红外光 发射 分光 集成 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种红外光发射与分光集成芯片,其特征在于:它是由芯片内芯、封装外壳(7)、反射镜(8)和电极绝缘子端口(9)组成;所述的芯片内芯是由硅基片(1)、二氧化硅层、闪耀光栅(3)、光源电极(4‑1)、测温电阻(4‑2)、光隔离梁(5)和隔离槽(6)组成;所述的二氧化硅层由二氧化硅层Ⅰ和二氧化硅层Ⅱ(2‑3)组成;所述的二氧化硅层Ⅰ设置在硅基片(1)的上表面上,光隔离梁(5)设置在硅基片(1)的上表面的中间,并将二氧化硅层Ⅰ的上表面分隔成二氧化硅层上表面Ⅲ(2‑1)和二氧化硅层上表面Ⅳ(2‑2);所述的二氧化硅层Ⅱ(2‑3)设置在硅基片(1)的下表面上;所述的光源电极(4‑1)和测温电阻(4‑2)设置在二氧化硅层上表面Ⅲ(2‑1);所述的闪耀光栅(3)设置在二氧化硅层上表面Ⅳ(2‑2),并在二氧化硅层Ⅰ和硅基片(1)中形成光栅图案凹槽;所述的隔离槽(6)设置在二氧化硅层Ⅱ(2‑3)上,与测温电阻(4‑2)相对应,并在二氧化硅层Ⅱ(2‑3)和硅基片(1)中形成隔离凹槽;所述的封装外壳(7)上设置有凹槽,用于镶嵌芯片内芯;反射镜(8)设置在封装外壳(7)上,定位于二氧化硅层上表面Ⅲ(2‑1)上方;电极绝缘子端口(9)定位于封装外壳(7)上,与电极端部相对应。
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