[发明专利]一种硅粉表面除氧的方法有效
申请号: | 201210551533.X | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103058198A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 张来启;潘昆明;王珏;林均品;梁永锋 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种硅粉表面除氧的方法,属于粉体表面处理技术领域。其特征在于通过在氢氟酸中加入中性溶剂无水乙醇并控制其比例和浓度,提高硅粉表面的润湿性,促使H+、HF2-和H2F2等快速向硅原子扩散。硅粉的除氧工艺是:HF、无水乙醇和去离子水按比例配制出所需除氧液并置于25-60℃恒温水浴中,取出适量待处理的硅粉放入该除氧液,不停搅拌15-60min,然后经过真空过滤器用去离子水清洗过滤3-8次、25-70℃真空干燥,之后立即真空封装保存。其主要优点在于除氧效率高,同时除氧液中不含硫酸等有害物质、不损害硅基体,处理后的粉末具有良好的均匀性和分散性,并且工艺简单、易于控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种硅粉表面除氧的方法,其特征在于,硅粉的除氧工艺是:HF、无水乙醇和去离子水按比例配制出所需除氧液并置于25‑60℃恒温水浴中,取出待处理的硅粉放入该除氧液,不停搅拌15‑60 min,然后经过真空过滤器用去离子水清洗过滤3‑8次、25‑70℃真空干燥,之后立即真空封装保存;待处理的硅粉的纯度大于99%,平均粒径小于200μm,除氧溶液中氢氟酸和无水乙醇的成分组成按体积百分比计, HF/C2H5OH:1‑10,其余为去离子水,HF浓度为:1%‑20%。
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