[发明专利]一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210551729.9 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872101B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及绝缘栅场效应晶体管技术领域，公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法。该制作方法包括采用N型SiC单晶材料作为衬底材料，并在SiC的表面外延生长出石墨烯，形成石墨烯导电层；刻蚀石墨烯，并保留栅极下方的元胞区之间的非沟道区域的石墨烯；按照制作绝缘栅场效应晶体管的工艺要求形成P型基区、N型发射区、有源区金属层及栅极金属层；在绝缘栅场效应晶体管金属化后，在绝缘栅场效应晶体管的背面生成集电极金属。本发明在不降低器件的耐压特性的基础上，降低了芯片的整体电阻，使得器件具有更小的饱和导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：采用N型SiC单晶材料作为衬底材料，并在所述SiC的表面外延生长出石墨烯，形成石墨烯导电层；刻蚀所述石墨烯，并保留栅极下方非沟道区域的石墨烯；按照要求形成P型基区、N型发射区、有源区金属层及栅极金属层；在绝缘栅场效应晶体管金属化后，在所述绝缘栅场效应晶体管的背面生成集电极金属。
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