[发明专利]可用于钒电池的聚偏氟乙烯复合膜的制备工艺有效

专利信息
申请号: 201210552089.3 申请日: 2012-12-18
公开(公告)号: CN103012826A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 赵丽娜;赵焕;刘建国;严川伟 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C08J5/22;C08L27/16;H01M4/88
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及全钒液流电池用离子交换膜制备领域,特别涉及一种可用于钒电池的聚偏氟乙烯复合膜的制备工艺。将聚偏氟乙烯进行碱处理得到碱化聚偏氟乙烯,把碱化聚偏氟乙烯和具有磺酸基团的单体分别溶解在溶剂中制成均匀溶液,用喷涂的方法制备多层复合隔膜,中间为聚偏氟乙烯基膜,两面喷涂具有磺酸基团的物质作为导电层。本发明制备可用于钒电池的离子交换膜,克服了全氟磺酸离子交换膜溶胀变形大,价格昂贵等缺点。用此方法制备的离子交换膜具有机械稳定性好,价格低廉的特点,适合应用于全钒液流电池中。
搜索关键词: 用于 电池 聚偏氟 乙烯 复合 制备 工艺
【主权项】:
一种可用于钒电池的聚偏氟乙烯复合膜的制备工艺,其特征在于,包含以下步骤:(1)将聚偏氟乙烯树脂用碱溶液进行处理,得到碱化聚偏氟乙烯树脂,用去离子水洗净并烘干;(2)将(1)中得到的碱化聚偏氟乙烯树脂溶解于有机溶剂中,溶液浓度3~20wt%,用流延、刮膜或喷涂方法在洁净的固体表面成膜,烘干制成聚偏氟乙烯基膜,烘干后隔膜厚度20~80μm;(3)将含有磺酸基团的单体溶解在有机溶剂或水中,溶液浓度15~30wt%,喷涂于聚偏氟乙烯基膜的两面,置于烘箱中烘干得到聚偏氟乙烯复合膜,每一面的磺酸层厚度5~25μm。
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