[发明专利]静电吸附装置无效
| 申请号： | 201210552260.0 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871943A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郑玮斌;王健;詹智健;吴长明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种静电吸附装置，包括静电吸附盘、隔绝环、热边缘环、硅片及接地环，其中静电吸附盘的外周有一环形凹槽，隔绝环设置在静电吸附盘的环形凹槽上，热边缘环设置在隔绝环上方，接地环与热边缘环相连接，硅片设置在静电吸附盘的顶部，硅片的边缘架设在热边缘环上，高热边缘环的高度高于硅片的高度。本发明能通过改变部件的部件尺寸和材质，使电场固定在硅片表面平均分布，避免产生电场分布不匀的现象，提高硅片工艺时表面均匀度缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 装置 | ||
【主权项】：
一种静电吸附装置，其特征在于，包括静电吸附盘、隔绝环、热边缘环、硅片及接地环，其中静电吸附盘的外周有一环形凹槽，隔绝环设置在静电吸附盘的环形凹槽上，热边缘环设置在隔绝环上方，接地环与热边缘环相连接，硅片设置在静电吸附盘的顶部，硅片的边缘架设在热边缘环上，热边缘环的高度高于硅片的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
