[发明专利]基于巨磁电阻的非接触式转速测量传感器无效
| 申请号： | 201210552331.7 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102967722A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 肖朝霞;方红伟 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G01P3/488 | 分类号： | G01P3/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于电气测量领域，涉及一种非接触式转速测量方法。具体提供一种基于磁环和多层膜巨磁电阻的测速传感器，将传感器本体与单臂桥式电阻测量电路合二为一，实现对旋转机械的高灵敏度与非接触测量，且体积小、测速范围宽，结构简单，成本低。具体特征在于，所提出的测速传感器由传感器的转子——磁环3，由60个磁条均匀分布组成，同轴安装于电机等旋转机械的输出轴上，和传感器的定子——4个多层膜结构巨磁电阻组成的单臂桥测量电路组成。其中，4个巨磁电阻中的三个被软磁材料所屏蔽，未被屏蔽的巨磁电阻位于磁环最顶端磁条平行位置，被检测的输出电压仅检测其上升沿，每个上升沿计数一次，1秒内的计数值正好为电机转速。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 接触 转速 测量 传感器 | ||
【主权项】：
一种非接触式测速传感器，所述的测速传感器包括转子和定子两部分，转子为磁环，定子由多层膜巨磁电阻组成的单臂桥测量电路组成。
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