[发明专利]垂直结构白光LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210552348.2 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103872189A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李明刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种垂直结构白光LED芯片及其制备方法，其中制备方法包括步骤：提供衬底；在衬底之上形成缓冲层；在缓冲层之上形成半导体发光结构；在半导体发光结构之上形成电流扩散层；在电流扩散层之上形成荧光粉涂覆层；在电流扩散层之上、荧光粉涂覆层之中形成第一电极；提供引入衬底，引入衬底作为支撑，倒置先前形成的外延结构，引入衬底在第一预设温度和外加电场下与荧光粉涂覆层和第一电极紧密接触；刻蚀衬底，蒸镀电极材料，在衬底之中形成第二电极；以及除去引入衬底，在第二预设温度下将引入衬底与荧光粉涂覆层和第一电极无损分离。本发明具有工艺简单、发光质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 白光 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构白光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：S1.提供衬底；S2.在所述衬底之上形成缓冲层；S3.在所述缓冲层之上形成半导体发光结构；S4.在所述半导体发光结构之上形成电流扩散层；S5.在所述电流扩散层之上形成荧光粉涂覆层；S6.在所述电流扩散层之上、所述荧光粉涂覆层之中形成第一电极；S7.提供引入衬底，所述引入衬底作为支撑，倒置先前形成的外延结构，所述引入衬底在第一预设温度和外加电场下与所述荧光粉涂覆层和所述第一电极相固定；S8.刻蚀所述衬底，蒸镀电极材料，在所述衬底之中形成第二电极；以及S9.加热至第二预设温度，再快速冷却，将所述引入衬底与所述荧光粉涂覆层和所述第一电极分离，去除所述引入衬底。
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