[发明专利]一种取向磁场下干袋式快速等静压成形技术与装置无效
| 申请号： | 201210552371.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103878368A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴庆华;吴庆文;金昕;吴成义;于潇;杨剑;张丽英 | 申请（专利权）人： | 吴庆华;吴庆文;金昕 |
| 主分类号： | B22F3/04 | 分类号： | B22F3/04;H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于磁性材料的制备技术领域，提供了一种取向磁场下干袋式快速等静压成形的技术与装置。用新的设计理念，将取向磁场技术与干袋式等静压成形技术和装置巧妙的、有机的结合，提供了一种新型的能在任意方向、任意磁场强度的取向磁场下进行干袋式等静压成形的技术和装置。产品的取向度明显提高。新的技术与装置可将现有钕铁硼磁体生产中必须采用的两道工序合成为一道工序，并能达到较高的自动化、机械化水平。在生产过程中，粉末及压坯与油液不接触，每个压坯不需要包扎乳胶包套。压坯密度分布、内应力分布十分均匀。压坯可进行机械加工，原始粉末可回收。可生产重量较大的、形状较复杂的或长径比(I/d)较大的含单孔、多孔薄壁管、套类、多磁极类产品，大大提高了稀土矿产资源的利用率，将我国钕铁硼磁体的工业化生产水平推进到世界领先的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 磁场 下干袋式 快速 静压 成形 技术 装置 | ||
【主权项】：
一种取向磁场下干袋式快速等静压成形技术与装置见图1。其特征在于提供了一种能在取向磁场下进行干袋式侧向等静压的技术与装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴庆华;吴庆文;金昕，未经吴庆华;吴庆文;金昕许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210552371.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：EXT1基因突变体及其应用
- 下一篇：选择性雄激素受体调节剂
