[发明专利]版图的DFM方法

摘要

本发明公开了一种版图的DFM方法，包括步骤：对当前层和前层版图分别进行局部图形密度检查。筛选出局部图形密度都小于第一图形密度规格值的区域，在该区域中填充冗余图形。筛选出前层版图的局部图形密度小于第二图形密度规格值的区域，对当前层版图的相同区域中的图形的关键尺寸进行调整。筛选出前层版图的局部图形密度小于第三图形密度规格值的区域，在当前层版图的相同区域中筛选出图形CD小于尺寸最小规格值、以及和前层版图的图形之间的间隔小于距离最小规格值的第二图形，对该关键尺寸和间隔进行调整。对修正后的当前层版图进行OPC修正。本发明能消除前层图形的影响，降低光刻工艺难度，使设计版图更容易被制造。

主权项

一种版图的DFM方法，其特征在于，DFM方法用于对设计版图进行DFM修正，所述设计版图包括多层版图，每一次DMF修正针对其中一层版图进行，该层版图为当前层版图，所述当前层版图的前一层版图为前层版图，且所述前层版图的第一图形会在硅片上形成台阶，所述DFM方法采用如下步骤对所述当前层版图进行DFM修正：步骤一、对所述当前层版图和所述前层版图分别进行局部图形密度检查，得到所述当前层版图的局部图形密度分布和所述前层版图的局部图形密度分布；步骤二、设定第一图形密度规格值，筛选出所述当前层版图和所述前层版图的局部图形密度都小于所述第一图形密度规格值的第一位置区域，在所述当前层版图的所述第一位置区域中填充冗余图形，该冗余图形由多个冗余图形块排列而成，所述冗余图形和所述前层版图的第一图形不重叠且相隔一段距离，所述冗余图形和所述当前层版图的第二图形不重叠且相隔一段距离；步骤三、设定第二图形密度规格值，筛选出所述前层版图的局部图形密度小于所述第二图形密度规格值的第二位置区域，在所述当前层版图中选择出和所述前层版图的第二位置区域位置相同的第三位置区域，对所述当前层版图的位于所述第三位置区域中、且和所述前层版图的所述第一图形有交叠的的第二图形的关键尺寸进行调整；步骤四、设定第三图形密度规格值、所述当前层版图的第二图形尺寸的尺寸最小规格值、所述当前层版图的第二图形和所述前层版图的第一图形之间的距离的距离最小规格值，筛选出所述前层版图的局部图形密度小于所述第三图形密度规格值的第四位置区域，在所述当前层版图中选择出和所述前层版图的第四位置区域位置相同的第五位置区域；在所述当前层版图的第五位置区域中筛选出图形关键尺寸小于所述尺寸最小规格值、且和所述第一图形之间没有交叠、且和所述第一图形之间的间隔小于所述距离最小规格值的第二图形，对所述第二图形的关键尺寸进行调整，对所述第二图形和所对应的所述前层版图的第一图形之间的间隔进行调整；步骤五、对经过上述DFM修正后的所述当前层版图进行OPC修正。