[发明专利]沟槽型功率MOSFET器件

摘要

本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件，包括用于形成栅极的由深沟槽一组成的阵列结构一阵列结构一包括多个行和多个列，深沟槽一的长度方向和行方向相同，每一行的深沟槽一等间距排列；在列的方向上，各行深沟槽一等间距排列，相邻两行的各深沟槽一存在交叉，相间隔的两行的各深沟槽一对齐。本发明能有效释放深沟槽产生的应力、降低位错的产生。

主权项

一种沟槽型功率MOSFET器件，其特征在于：沟槽型功率MOSFET器件包括由深沟槽一组成的阵列结构一，由填充于所述深沟槽一中的多晶硅组成所述沟槽型功率MOSFET器件的栅极；所述阵列结构一的排布为：包括多个行和多个列，所述深沟槽一的长度方向和行方向相同，每一行的所述深沟槽一等间距排列；在列的方向上，各行所述深沟槽一等间距排列，相邻两行的各所述深沟槽一存在交叉，相间隔的两行的各所述深沟槽一对齐；相邻两行的各所述深沟槽一之间的交叉结构为：当前行的各所述沟槽一的中心位置和相邻的前一行或后一行的两个所述沟槽一之间的行间隔的中心位置在列方向上对齐，使得当前行的各所述沟槽一和相邻的前一行或后一行的两个所述沟槽一呈品字型。