[发明专利]PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法

摘要

本发明提供了嵌入硅锗的PMOS晶体管与嵌入碳化硅的NMOS晶体管及其制作方法，不但在嵌入硅锗或碳化硅表面形成金属硅化物来降低源极与漏极的电阻，而且在该轻掺杂区也形成了金属硅化物以降低轻杂掺区的电阻，从而减缓由于嵌入的硅锗或碳化硅与轻掺杂区存在界面引起的载流子迁移速率变慢问题，换言之，提高该PMOS与NMOS晶体管的载流子迁移速率。源极与漏极、轻掺杂区形成金属硅化物可以在同一工艺中进行，以形成厚度相同的金属硅化物，也可以在分步进行，以形成源极与漏极厚度大于轻掺杂区厚度的金属硅化物。

主权项

一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括形成在衬底上的栅介质层及形成在所述栅介质层上的栅电极；在所述栅极结构两侧形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜在衬底上形成轻掺杂区；在所述第一侧墙外覆盖第二侧墙，所述第二侧墙位于所述轻掺杂区上方；以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩膜，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成凹槽，所述凹槽为sigma形或U形；在所述凹槽内填充硅锗材质；去除所述第二侧墙，以在所述第二侧墙暴露的轻掺杂区硅衬底表面、所述凹槽开口处的硅锗材质上形成金属硅化物层。