[发明专利]优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器有效
申请号: | 201210553671.1 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103236824A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 黄惠芬;叶茂 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03H9/46 | 分类号: | H03H9/46 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器,包括E型磁芯、第一I型磁芯以及用于增大差模漏电感的第二I型磁芯,两个相同结构的共模绕组单元,共模绕组单元对称设置在第二I型磁芯的两侧。本发明在研究了元件集成化的特点及其之间的各种耦合作用基础上,通过优化集成EMI滤波器接地绕组布局,从而以更小结构复杂度及加工难度有效消除了共模电感的等效并联电容。通过反向耦合、正向耦合及双向耦合方式的高频性能对比,得出了双向耦合接地绕组结构能最大程度提升共模噪声的高频抑制能力的结论,同时引入等效电路对设计过程进行了定量分析,并利用精确的场仿真软件对滤波效果进行了模拟,完成了集成EMI滤波器的加工及测试。 | ||
搜索关键词: | 优化 接地 绕组 布局 提高 噪声 抑制 性能 集成 emi 滤波器 | ||
【主权项】:
一种优化接地绕组布局以提高噪声抑制性能的集成EMI滤波器,包括E型磁芯、第一I型磁芯以及用于增大差模漏电感的第二I型磁芯,其特征在于,还包括两个相同结构的共模绕组单元,所述共模绕组单元对称设置在第二I型磁芯的两侧,所述共模绕组单元共分为五层,从上至下依次是上层共模电感导体层,低介电常数绝缘层,下层共模电感导体层,高介电常数电介质层,以及接地导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210553671.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。