[发明专利]一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210553829.5 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102965622A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;张培文;路程;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58;G01N27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，该方法先在耐高温衬底上生长一层SnO2或ZnO敏感膜，然后在该SnO2或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt纳米晶的SnO2或ZnO敏感膜。利用本发明，可以在SnO2或ZnO敏感膜上掺杂Au/Pt纳米晶颗粒，较为显著提高气体传感器对CO和H2的敏感度、选择性及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 掺杂 au pt 纳米 敏感 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面掺杂Au或Pt内米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，该方法先在耐高温衬底上生长一层SnO2或ZnO敏感膜，然后在该SnO2或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt内米晶的SnO2或ZnO敏感膜。
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