[发明专利]一种高焦耳型压敏电阻及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210554024.2 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103011798A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 褚冬进;周军伟;梁自伟;覃远东;常宝成;刘丹;陈玉萍 申请(专利权)人: 广西新未来信息产业股份有限公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 北海市海城区佳旺专利代理事务所(普通合伙) 45115 代理人: 黄建中
地址: 536000 广西壮族自治区北海市*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种高焦耳型压敏电阻及其制备方法。该压敏电阻是由以ZnO为主体,再添加Bi2O3、Co3O4、Sb2O3、MnCO3、Ni2O3、ZrO2、Y2O3、SiO2、SnO2、MgO、H3BO3、Al(NO3)3·9H2O、AgNO3、自制的ZnTiNb2O8超细粉体原料制备而成。制备方法是采用传统的固相合成方法自制ZnTiNb2O8超细粉体,然后将ZnTiNb2O8超细粉体以及其它的添加剂与ZnO粉料球磨混合、喷雾造粒、干压成型、排胶、烧结等工序得到烧结好的瓷片,将烧结好的瓷片丝网印银、还原、焊接、包封,得到一种高焦耳型压敏电阻。本发明的制备方法工艺简单,所制备的压敏电阻成本低,老化性能好,耐组合波能力强,能量密度大,绿色环保,并能够实现大批量生产。
搜索关键词: 一种 焦耳 压敏电阻 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高焦耳型压敏电阻,其特征在于所述压敏电阻主要由下述摩尔百分比的原料制备而成:ZnO∶Bi2O3∶Co3O4∶Sb2O3∶MnCO3∶Ni2O3∶ZrO2∶Y2O3∶SiO2∶SnO2∶MgO∶H3BO3∶Al(NO3)3·9H2O∶AgNO3∶ZnTiNb2O8超细粉体等于96.5%~97.5%∶0.5%~0.65%∶0.3%~0.5%∶0.5%~1.5%∶0.4%~0.5%∶0.35%~0.45%∶0.05%~0.07%∶0.05%~0.1%∶0.05%~0.1%∶0.05%~0.12%∶0.1%~0.3%∶0.015%~0.025%∶0.004%~0.006%∶0.01%~0.015%∶0.01%~0.1%。
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