[发明专利]一种外延片结构及其表面粗化的方法有效
| 申请号： | 201210554132.X | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887389B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种外延片结构，包括衬底，及在衬底上依次形成的缓冲层、第一类型氮化物层、发光层和第二类型氮化物层，所述第二类型氮化物层包括依次形成在发光层之上的第一氮化物层和第二氮化物层，所述第二氮化物层为重掺杂氮化物层，所述第二氮化物层表面上分布有凹坑。本发明在外延片上增加重掺杂氮化物层，并在其表面进行化学腐蚀，由于重掺杂氮化物层掺杂杂质的浓度高，较易形成缺陷，有缺陷的地方腐蚀的速度较快，从而在外延片表面上形成凹坑，达到对外延片表面粗化的目的，有效的提高了外延片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 及其 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种外延片表面粗化的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、在衬底上形成缓冲层；S3、在缓冲层上形成第一类型氮化物层；S4、在第一类型氮化物层上形成发光层；S5、在发光层上形成第二类型氮化物层，所述第二类型氮化物层包括依次形成在发光层之上的第一氮化物层和第二氮化物层，所述第二氮化物层为重掺杂氮化物层，所述第二氮化物层掺杂Mg，Mg的掺杂浓度为1020/cm3～1022/cm3；S6、在所述第二氮化物层表面通过化学腐蚀形成凹坑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司，未经比亚迪股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210554132.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有丹参酮的乳剂及其制备方法
- 下一篇：补充气体递送和监测系统
