[发明专利]存储系统及其编程方法有效
| 申请号： | 201210554849.4 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103165186B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 庆允英;金男镐;崔贤镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 蔡军红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储系统 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程与第二编程的编程比率，其中该存储器件包括2位单元，其中第一编程是在2位单元上的最低有效位LSB编程操作，而第二编程是在2位单元上的最高有效位MSB编程操作，其中LSB编程操作比MSB编程操作执行更多次数。
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