[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201210555069.1 | 申请日: | 2012-12-19 |
公开(公告)号: | CN103187340A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 藤原直澄;宫胜彦;加藤雅彦;德利宪太郎 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B7/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法。在基板处理装置(1)中,通过从第一液体供给部(31)向基板(9)的上表面(91)供给的纯水的过冷却液在上表面(91)上形成液膜,通过来自冻结部(4)的冷却气体冷却该液膜来形成冻结膜。通过过冷却液形成的液膜的温度比纯水的凝固点低,处于容易冻结的状态。因此,被冻结部(4)冷却了时,能够缩短冻结液膜所需的时间。另外,与利用温度比凝固点高的纯水形成液膜的情况相比,即使来自冻结部(4)的冷却气体的温度变高,也能够迅速地冻结液膜。因此,能够简化从冷却气体供给源向冷却气体喷嘴(41)供给冷却气体的配管等绝热设备。结果,能够抑制冻结液膜所需的冷却成本。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:腔室;基板保持部,在上述腔室内将基板保持为一个主面朝向上侧的状态;液体供给部,向上述基板的上述一个主面供给被过冷却至低于凝固点的温度的过冷却液;基板旋转机构,通过使被供给了上述过冷却液的上述基板以与上述一个主面垂直的轴为中心旋转,在上述一个主面上形成液膜;冻结部,使上述液膜冷却来使该液膜冻结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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