[发明专利]一种基于离子吹扫型膜进样的离子迁移谱仪无效

专利信息
申请号: 201210555933.8 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN103887143A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 李海洋;周庆华;陈创;程沙沙;梁茜茜;彭丽英 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/26 分类号: H01J49/26;H01J49/02;G01N27/64
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明设计了一种基于离子吹扫型膜进样的离子迁移谱仪,包括膜进样装置、电离源、电离反应区、离子门、离子迁移区、栅网、离子接收极。采用的技术手段包括:膜进样装置位于电离反应区;电离源作用下生成的反应离子吹扫暴露于电离反应区的膜表面;在膜装置前后设置电场。有效地提高膜进样装置对样品的透过率和透过速度以及仪器的响应速度和灵敏度。
搜索关键词: 一种 基于 离子 吹扫型膜进样 迁移
【主权项】:
一种基于离子吹扫型膜进样的离子迁移谱仪,包括膜进样装置和离子迁移谱,离子迁移谱包括依次排布的电离源、电离反应区、离子门、离子迁移区、栅网、离子接收极;其特征在于:膜进样装置为一端开口、另一端密闭的箱体,箱体的开口端设置有半透膜,箱体上设有进气口和出气口,箱体的开口端置于离子迁移谱的电离反应区;半透膜将箱体的内部腔室与离子迁移谱的电离反应区分隔开,使它们互不连通;电离源作用下生成的反应离子吹扫暴露于电离反应区的膜表面,使样品分子在膜表面上发生电离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院大连化学物理研究所,未经中国科学院大连化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210555933.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top