[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效
| 申请号： | 201210556262.7 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103021872A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 纪成友;贾道峰 | 申请（专利权）人： | 青岛红星化工集团自力实业公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGSZO TFT生长工艺及TFT流片工艺，该IGSZO生长工艺包括：1)腐蚀ITO玻璃；2)生长IGSZO复合层结构，其中，IGSZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al；2)湿法腐蚀IGSZO。在TFT流片工艺中，注意在有源层IGSZO生长过程，减少材料缺陷、优化沟道电导性能，控制栅绝缘层IGSZO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 生长 工艺 | ||
【主权项】：
一种IGSZO TFT生长工艺，其特征在于该IGSZO生长工艺包括：腐蚀ITO玻璃；生长IGSZO复合层结构其中，IGSZO复合层TFT器件后期制备流程如下：刻蚀Al；湿法腐蚀IGSZO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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