[发明专利]一种光子晶体定向耦合器的制作方法有效

专利信息
申请号: 201210556556.X 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN103033879A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 崔乃迪;郭进;冯俊波;滕婕;谢峰;王俊;赵恒 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所;合肥公共安全技术研究院
主分类号: G02B6/13 分类号: G02B6/13;G02B6/136
代理公司: 安徽汇朴律师事务所 34116 代理人: 方荣肖
地址: 230031 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种光子晶体定向耦合器的制作方法,该光子晶体定向耦合器包括基板以及设置在基板上的若干介质柱,若干介质柱围出两个相互独立的主波导线缺陷与耦合波导线缺陷,主波导线缺陷与耦合波导线缺陷之间间隔有至少一排介质柱,该排介质柱均为跑道型介质柱,其余介质柱均为圆柱型介质柱。该制作方法包括下列步骤:制备划片所需的划片槽;在划片槽上制备ICP刻蚀所需的光刻胶掩膜,得到硅柱阵列结构;利用第二步制备的光刻胶掩膜结构进行ICP刻蚀,制作光子晶体定向耦合器的主体结构;对主体结构中的跑道型介质柱进行修整;去除主体结构的边缘区域形成该光子晶体定向耦合器。本发明的优点在于:具有体积小、结构紧凑、效率高、集成度高等优点。
搜索关键词: 一种 光子 晶体 定向耦合器 制作方法
【主权项】:
一种光子晶体定向耦合器的制作方法,该光子晶体定向耦合器包括基板以及垂直设置在该基板上的若干介质柱,该若干介质柱围出两个相互独立的主波导线缺陷(9)与耦合波导线缺陷(10),主波导线缺陷(9)与耦合波导线缺陷(10)之间间隔有至少一排介质柱,位于该排介质柱一侧的介质柱区域为主波导部分(8),位于该排介质柱相对一侧的介质柱区域为直角转弯耦合波导部分(5),主波导部分(8)、直角转弯耦合波导部分(5)以及它们之间的这排跑道型介质柱(7)构成光子晶体定向耦合器的主体结构,其特征在于,该排介质柱均为跑道型介质柱(7),其余介质柱均为圆柱型介质柱(2),该光子晶体定向耦合器的制作方法包括下列步骤:第一步,制备划片所需的划片槽;第二步,在该划片槽上制备ICP刻蚀所需的光刻胶掩膜,得到硅柱阵列结构;第三步,利用第二步制备的光刻胶掩膜结构进行ICP刻蚀,制作光子晶体定向耦合器的主体结构;第四步,对主体结构中的跑道型介质柱进行修整;第五步,去除主体结构的边缘区域形成该光子晶体定向耦合器。
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