[发明专利]离子植入方法及离子植入设备

摘要

一种离子植入方法包括将由离子作为离子束输送至晶圆；使所述晶圆经历晶圆机械慢速扫描，并且还使所述离子束经历束快速扫描，或使所述晶圆在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历晶圆机械快速扫描；通过使用所述晶圆机械慢速扫描方向上的所述晶圆机械慢速扫描和所述离子束的所述束快速扫描或所述晶圆在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述晶圆机械快速扫描，来以所述离子束照射所述晶圆；在对所述晶圆进行离子植入之前，测量所述离子束的二维束形状，并且通过使用所测量的二维截面形状，来限定所述离子束的植入和照射区域，以由此调节所述植入和照射区域。

主权项

一种离子植入方法，包括：将由离子源产生的离子作为离子束输送至晶圆；使所述晶圆经历晶圆机械慢速扫描，并且还使所述离子束在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历束快速扫描，或使所述晶圆在与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上经历晶圆机械快速扫描；通过使用所述晶圆机械慢速扫描方向上的所述晶圆机械慢速扫描和所述离子束在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述束快速扫描或所述晶圆在所述与晶圆机械慢速扫描方向正交的方向上的所述晶圆机械快速扫描，来以所述离子束照射所述晶圆；在对所述晶圆进行离子植入之前，测量所述离子束的二维截面束形状，并且通过使用所测量的二维截面束形状，来限定所述离子束的植入和照射区域，其中，使所述二维截面束形状为椭圆形状，使用所述离子束的外周边与所述晶圆的外周边的公切线来设定所述离子束的照射范围，并且由此规定所述植入和照射区域。