[发明专利]显示装置、半导体装置及该半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种显示装置、半导体装置及该半导体装置的制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。

主权项

一种显示装置，包括：衬底上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；所述栅电极上的包含铟的第一非单晶氧化物半导体层，所述栅极绝缘膜置于二者之间，所述第一非单晶氧化物半导体层具有第一电导率；所述第一非单晶氧化物半导体层上的包含铟的第二非单晶氧化物半导体层，所述第二非单晶氧化物半导体层具有低于所述第一电导率的第二电导率；所述第二非单晶氧化物半导体层上的包含硅和氧的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的包含硅和氮的第二绝缘膜；以及所述第二绝缘膜上的包含有机材料的平坦化绝缘膜；所述平坦化绝缘膜上的像素电极，所述像素电极与所述第一非单晶氧化物半导体层电接触。