[发明专利]用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆的制作方法

摘要

一种用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆（控片）的制作方法，在硅衬底上沉积一薄层氧化硅薄膜后，再在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层，然后再在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜，并在循环使用中保留该氮化硅层。本发明增加了氮化硅阻挡层，可以有效解决在控片的循环使用过程中对硅衬底造成损伤产生COP缺陷而影响测机结果的问题，从而减少检测过程的误差，获得能够真实表征机器性能的检测数据。

主权项

一种用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测的晶圆制作方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、准备硅衬底；步骤2、在硅衬底上沉积一层氧化硅薄膜；步骤3、在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层；步骤4、在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜；步骤5、该制备的控片用于多晶硅化学机械研磨制程设备的测试，以表征研磨过程对晶圆表面造成的缺陷情况；步骤6、通过酸槽制程清洗去除残余的多晶硅层，并保留氮化硅阻挡层；步骤7、在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜，返回步骤5。