[发明专利]低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、单晶发射区、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括多晶硅层、多晶硅侧墙和Si/SiGe/Si多晶层。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持了现有技术所具有的较低CBC这一优点的同时进一步减小了RB，从而能够进一步优化器件性能。

主权项

一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管，其特征在于：所述晶体管包括第一导电类型的衬底、第二导电类型的硅埋层集电区、生长在所述衬底和硅埋层集电区上的第二导电类型的轻掺杂硅外延层、在所述轻掺杂硅外延层内形成连接所述硅埋层集电区的第二导电类型重掺杂硅集电极引出区、在轻掺杂硅外延层中形成的场区介质层、位于轻掺杂硅外延层内的选择注入集电区、对应于所述选择注入集电区的本征基区外延层、位于本征基区外延层内且对应发射区‑基区隔离介质区所围成窗口的第二导电类型重掺杂单晶发射区、位于所述本征基区外延层上的发射区‑基区隔离介质区和第二导电类型重掺杂多晶发射区、位于所述发射区‑基区隔离介质区外围的抬升外基区、以及位于抬升外基区下方的氧化硅隔离介质层；所述第二导电类型重掺杂多晶发射区位于所述发射区‑基区隔离介质区的内侧；所述发射区‑基区隔离介质区由外侧的非保形覆盖氧化硅层和内侧的氮化硅侧墙组成；所述抬升外基区包括位于氧化硅隔离介质层上的第一导电类型重掺杂多晶硅层、位于所述多晶硅层侧面和氧化硅隔离介质层侧面的多晶硅侧墙、位于所述多晶硅层上的Si/SiGe/Si多晶层、以及位于所述多晶硅侧墙上面和侧面的Si/SiGe/Si多晶层。