[发明专利]硅单晶基底及其制造方法有效
| 申请号： | 201210558695.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103173857A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 中居克彦;大久保正道;坂本光 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;H01L29/30;B28D5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 基底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成的硅单晶基底，其包括：第一主表面；和与所述第一主表面相对的第二主表面，所述硅单晶基底的所述第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且所述第一主表面的电阻率变化率不大于3%，器件形成区中氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108cm3，所述器件形成区为位于所述第一主表面与所述第一主表面朝向所述第二主表面50μm深度处的平面之间的区域，并且一个区域中氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3，所述区域为位于所述第一主表面朝所述第二主表面深入300μm深度处的平面与400μm深度处的平面之间的区域。
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